一种N型掺杂硅单晶的制备方法以及所制备的掺杂硅单晶
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种N型掺杂硅单晶的制备方法，利用直拉法，将熔体硅原始质量设为W3；熔体液面到达r弧形过渡区时的熔体硅的重量设为W2；熔体液面到达r弧形过渡区与底部R弧形区相交位置时的熔体硅的重量设为W1；在坩埚内剩余熔体硅的重量为1.5W2时，开启底部加热器S10；在剩余熔体硅的重量从1.5W2变化至W2的过程中，底部加热器S10的输出功率从主加热器S11输出功率的0％线性提升到主加热器S11输出功率的10％～15％；在剩余熔体硅的重量从W2变化至W1的过程中，底部加热器S10的输出功率由主加热器S11输出功率的10％～15％线性提升到主加热器S11输出功率的30％～35％，并保持到收尾完成。采用本发明的制备方法能够避免或延迟高掺杂浓度导致的组分过冷现象发生，维持晶体的无位错生长。
基本信息
专利标题 ：
一种N型掺杂硅单晶的制备方法以及所制备的掺杂硅单晶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351243A
申请号 ：
CN202111487642.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方峰李英涛王万华王凯磊钟耕杭
申请人 ：
山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请人地址 ：
山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号（中元科技创新创业园）A座921室
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘秀青
优先权 ：
CN202111487642.5
主分类号 ：
C30B15/04
IPC分类号 ：
C30B15/04 C30B29/06 C30B15/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
C30B15/04
添加掺杂材料，例如用于n-p结的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/04
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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