制备硅单晶的方法和设备
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明是关于用切克劳斯基法(Czochralskimethod)制备硅单晶的方法和设备，其中包括步骤：分隔盛熔融硅的坩埚为单晶生长区和外加料区以使熔融硅运动缓慢，以及一面给加料区连续地加入硅原料一面从单晶生长区拉出硅单晶，其中改进包括加料区和熔融硅的温度保持在高于硅的熔点至少12℃以上。
基本信息
专利标题 ：
制备硅单晶的方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1037933A
申请号 ：
CN89102980.X
公开（公告）日 ：
1989-12-13
申请日 ：
1989-04-28
授权号 ：
CN1016973B
授权日 ：
1992-06-10
发明人 ：
神尾宽荒木健治岛芳延铃木真风间彰堀江重豪中滨泰光
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王景朝
优先权 ：
CN89102980.X
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/12
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
1994-03-23 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-03-17 ：
授权
1992-06-10 ：
审定
1989-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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