制造硅单晶设备
专利权的视为放弃
摘要
在一种连续装入原料类型的硅单晶制造设备中，设有一个隔件将石英坩埚内的熔体分成单晶生长区和材料熔化区，还有一个将该材料熔化区上方遮盖起来的金属持热板。该金属持热板用来防止隔件内侧上硅熔体凝固，并防止硅单晶过冷。金属持热板厚度为3mm或更薄，而其材料为钽或钼。再者，该持热板包括具有多个开孔的直体部位，用来调节单晶温度。
基本信息
专利标题 ：
制造硅单晶设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1051207A
申请号 ：
CN90102209.8
公开（公告）日 ：
1991-05-08
申请日 ：
1990-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中滨泰光荒木健治神尾宽
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN90102209.8
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2005-10-19 ：
专利权的视为放弃
1993-11-10 ：
专利权的视为放弃
1991-05-08 ：
公开
1990-09-05 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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