制造硅单晶的设备
专利权的视为放弃
摘要
引上法制造硅单晶的设备，包括一个将硅粒原料连续送进坩埚的加料装置。该装置包括一个充有减压惰性气体的箱体，箱体内部安装一个转筒，转筒外圈表面上有多个能截住颗粒原料的部件，在转筒上方装量一个贮料斗。加料装置的配布要使贮料斗底部排出口与转筒外圆表面之间的距离(缝隙)要大于硅粒的最大直径，且该距离(缝隙)的最大值要足以使得硅粒能以一个静止角堆积在这个距离(缝隙)上。转筒■■表面上能截住颗粒的部件采取各种任何凸起或沟槽的形式。
基本信息
专利标题 ：
制造硅单晶的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1046360A
申请号 ：
CN90102476.7
公开（公告）日 ：
1990-10-24
申请日 ：
1990-03-30
授权号 ：
CN1018002B
授权日 ：
1992-08-26
发明人 ：
毛利吉男荒木健治黑田浩一
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN90102476.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1993-11-24 ：
专利权的视为放弃
1992-08-26 ：
审定
1990-10-24 ：
公开
1990-10-03 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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