碳化硅单晶的制造方法
授权
摘要
在基于TSSG法的4H‑SiC单晶的培育中，无论有无掺杂均得到防止异种多型的混入、且具有良好形态学的4H‑SiC单晶。本发明人等在TSSG法的SiC单晶制造法中对离角给培育晶体产生的影响进行了深入研究，结果发现：使离角为60～68°的情况下，在进行4H‑SiC单晶培育时不易混入异种多型，此时，通过利用回熔法进行晶种表面的平滑化后进行晶体培育，从而可以得到具有良好形态学的培育晶体。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅单晶的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111315923A
申请号 ：
CN201880071163.5
公开（公告）日 ：
2020-06-19
申请日 ：
2018-11-01
授权号 ：
CN111315923B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
熊谷和人梅崎智典
申请人 ：
中央硝子株式会社
申请人地址 ：
日本山口县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN201880071163.5
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B19/04 C30B19/12 H01L21/208
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-07-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/36
申请日 : 20181101
申请日 : 20181101
2020-06-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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