SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶...
公开
摘要
本发明要解决的问题是提供一种在抑制了SiC升华的同时减少了内部应力的新型的SiC单晶主体。为了解决上述问题，本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其包括将SiC单晶主体在含有Si元素和C元素的气氛下在1800℃以上进行加热并减少所述SiC单晶主体的内部应力的应力减少步骤。此外，本发明是一种SiC单晶的制造装置，包括：主体容器，由SiC材料制成且能够收纳SiC单晶主体；和加热炉，能够将所述主体容器在1800℃以上进行加热。
基本信息
专利标题 ：
SiC单晶的制造方法、SiC单晶的制造装置以及SiC单晶晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114423889A
申请号 ：
CN202080065931.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金子忠昭
申请人 ：
学校法人关西学院;丰田通商株式会社
申请人地址 ：
日本国兵库县
代理机构 ：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
方挺
优先权 ：
CN202080065931.3
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B33/02 C30B33/08 C30B23/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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