硅单晶的制造方法
公开
摘要
本发明提供硅单晶的制造方法，该制造方法可制造在硅晶体长度方向具有更均匀的氧浓度分布的硅单晶。硅单晶的制造方法，其是通过直拉法从收纳在石英玻璃坩埚(3)内的硅熔液中提拉硅单晶，其中，使用上述透明内层的厚度(t)与上述石英玻璃坩埚的侧壁厚度(T)的比率(t/T)从石英玻璃坩埚侧壁的上部到下部进行了调整的石英玻璃坩埚，所提拉的硅单晶的晶体生长轴方向的氧浓度的偏差为20%以内。
基本信息
专利标题 ：
硅单晶的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616361A
申请号 ：
CN202080078286.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松村尚
申请人 ：
环球晶圆日本股份有限公司
申请人地址 ：
日本新潟县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张桂霞
优先权 ：
CN202080078286.9
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B15/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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