制造具有受控制的碳含量的硅单晶的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及制造具有受控制的碳含量的硅单晶的方法，其中在坩埚内使多晶硅熔化成硅熔体，在此期间将具有一定流量的惰性气体流通至该熔化的多晶硅上，并根据Czochralski法由该熔体拉伸该单晶，其特征在于，控制所述惰性气体流的流量，以调节该熔体中的碳浓度。
基本信息
专利标题 ：
制造具有受控制的碳含量的硅单晶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1824848A
申请号 ：
CN200610006496.9
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鲁珀特·克劳特鲍尔埃里希·格梅尔鲍尔罗伯特·沃布赫纳
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
过晓东
优先权 ：
CN200610006496.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06 C30B15/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2008-04-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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