制取硅单晶的设备
专利权的视为放弃
摘要
一种硅单晶的制取设备，其中一个在其下部形成有至少一个贯穿小孔的分离构件设置在一个旋转石英坩锅内使之包围住一个旋转拉出的大圆柱形硅单晶。分隔构件的全部或一部分由泡沫石英玻璃制成。这种泡沫石英玻璃的气泡含量(体积百分比)在0.01％与15％之间，或者是小于0.01％、但通过用于熔化硅原料的热提高到0.01％至15％。因此，防止跟分隔构件内侧接触的熔融物料降低温度，并防止熔融物料在此部位上凝固。
基本信息
专利标题 ：
制取硅单晶的设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1042954A
申请号 ：
CN89109188.2
公开（公告）日 ：
1990-06-13
申请日 ：
1989-11-11
授权号 ：
CN1019031B
授权日 ：
1992-11-11
发明人 ：
神尾宽岛芳延
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
林道棠
优先权 ：
CN89109188.2
主分类号 ：
C30B15/12
IPC分类号 ：
C30B15/12 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
C30B15/12
双坩埚法
法律状态
1994-02-09 ：
专利权的视为放弃
1992-11-11 ：
审定
1990-06-20 ：
实质审查请求
1990-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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