硅单晶制造装置
专利申请的视为撤回
摘要
按照旋转式切克劳斯基(CZ)单晶生长法制造大直径硅单晶的装置，该装置可以提高原料利用率和生产效率。通常引起原料利用率和生产效率恶化的一个重要原因是在隔离元件的近旁点发生熔体凝固，为防止此问题，在熔体弯液面位置的对面设置一个具有特定位置及特定遮蔽宽度的热遮蔽体，借此遮挡来自弯液面位置的热辐射。
基本信息
专利标题 ：
硅单晶制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1051595A
申请号 ：
CN90109125.1
公开（公告）日 ：
1991-05-22
申请日 ：
1990-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岛芳延荒木健治神尾宽钤木真
申请人 ：
日本钢管株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN90109125.1
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
1994-01-12 ：
专利申请的视为撤回
1992-03-18 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1991-05-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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