高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
著录事项变更
摘要
本发明涉及一种用柴氏长晶法、以高生产率生产高质量硅单晶结晶块的技术。本发明的技术能控制氧溶出区域处的磁场强度，使其不同于固－液界面区域处的磁场强度，从而将氧含量控制为所需值。
基本信息
专利标题 ：
高质量硅单晶的生长方法和装置、硅单晶结晶块及硅晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1904147A
申请号 ：
CN200610058255.9
公开（公告）日 ：
2007-01-31
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵铉鼎
申请人 ：
希特隆股份有限公司
申请人地址 ：
韩国庆尚北道
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
武玉琴
优先权 ：
CN200610058255.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2011-06-29 ：
著录事项变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101109516614
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利申请号 : 2006100582559
变更事项 : 发明人
变更前 : 赵铉鼎
变更后 : 赵铉鼎;洪宁皓
号牌文件序号 : 101109516614
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利申请号 : 2006100582559
变更事项 : 发明人
变更前 : 赵铉鼎
变更后 : 赵铉鼎;洪宁皓
2011-06-22 ：
授权
2008-08-20 ：
实质审查的生效
2007-01-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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