高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明涉及一种用于生长高质量硅单晶结晶块的生长装置和方法，以及由此生产的硅单晶结晶块和晶片。该生长装置将硅单晶结晶块中的氧含量控制为各种值，因此，以高的生产率生产出极度控制了生长缺陷的硅单晶结晶块。
基本信息
专利标题 ：
高质量硅单晶结晶块的生长装置及使用此装置的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1936108A
申请号 ：
CN200610003165.X
公开（公告）日 ：
2007-03-28
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵铉鼎
申请人 ：
希特隆股份有限公司
申请人地址 ：
韩国庆尚北道
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
武玉琴
优先权 ：
CN200610003165.X
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2013-09-04 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101656466886
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利申请号 : 200610003165X
申请公布日 : 20070328
号牌文件序号 : 101656466886
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利申请号 : 200610003165X
申请公布日 : 20070328
2008-11-19 ：
实质审查的生效
2007-03-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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