硅单晶生长用勾形磁场装置

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摘要

本实用新型提供了一种硅单晶生长用勾形磁场装置，该装置包括：两个并列设置的线圈组件，每个线圈组件均包括多个单盘线圈，同一线圈组件内的多个单盘线圈相串联，每个单盘线圈均由至少三根铜管绕制而成，同一单盘线圈内的各铜管相串联；两个直流源，两个直流源分别与两个线圈组件相连接，以分别向两个线圈组件通入大小相等、方向相反的直流电流；绝缘栅双极型晶体管模块，绝缘栅双极型晶体管模块与两个直流源相连接，以控制两个直流源向两个线圈组件通入的直流电流为恒流。两个线圈组件通电后形成的磁场可从三维方向上有效地抑制热对流、单晶棒和坩埚相对旋转产生的强迫对流，且磁场稳定性高，可使得单晶的质量进一步提高。

基本信息

专利标题：

硅单晶生长用勾形磁场装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020168794.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-02-13

授权号：

CN211972497U

授权日：

2020-11-20

发明人：

张承臣李恒盛赵威曹野刘博

申请人：

沈阳隆基电磁科技股份有限公司

申请人地址：

辽宁省抚顺市经济开发区文华路6号

代理机构：

北京工信联合知识产权代理有限公司

代理人：

白晓晰

优先权：

CN202020168794.3

主分类号：

C30B30/04

IPC分类号：

C30B30/04 C30B29/06 C30B15/00