单晶炉勾形电磁场装置
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种单晶炉勾形电磁场装置,包括在炉腔体外周设置的屏蔽体,屏蔽体的内侧上、下端分别安装有线圈a和线圈b,线圈a与线圈b是螺旋管直流线圈,他们的匝数、线圈半径、纵向和轴向层数、导线面积以及线包的绕制方法完全相同,线包的绕制方法采用多路并行绕制,然后再将各路线圈按同一绕制方向串联在一起。本实用新型与单晶炉配套安装,在直拉法生长晶体过程中,通过调整线圈的电流来改变单晶炉坩埚内的磁场磁力线分布,有效抑制了单晶炉坩埚内的影响晶体质量的各种熔体对流,从而提高了生长晶体的质量。

基本信息
专利标题 :
单晶炉勾形电磁场装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200720032811.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2007-09-20
授权号 :
CN201106071Y
授权日 :
2008-08-27
发明人 :
安涛高勇李守智李波
申请人 :
西安理工大学
申请人地址 :
710048陕西省西安市金花南路5号
代理机构 :
西安弘理专利事务所
代理人 :
罗笛
优先权 :
CN200720032811.5
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2014-11-12 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101588388621
IPC(主分类) : C30B 15/20
专利号 : ZL2007200328115
申请日 : 20070920
授权公告日 : 20080827
终止日期 : 20130920
2008-08-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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