一种用于提高单晶硅性能的电磁场设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于提高单晶硅性能的电磁场设备，安装于单晶炉外围，该电磁场设备包括安装在支腿上的U型磁系机构，所述U型磁系机构包括U型导磁板，以及对称固定在U型导磁板开口端内侧壁上的轭板，两个所述轭板内侧壁分别固定有磁极，两磁极产生的磁场为异极；所述磁极内侧安装有可在水平和竖直方向移动的极头。与现有技术相比，本实用新型采用双磁极结构，两磁极均独立通电，可以通过调整电流大小来改变磁场强度，同时两磁极产生的磁场为异极，作用于单晶炉的两侧，使磁力线穿过熔炉，让熔炉中的流体在磁场中运动，在磁场力的作用下，阻滞流体的热对流，从而提高单晶硅的晶体性能和均匀性；且结构简单，方便运输、安装、检修。
基本信息
专利标题 ：
一种用于提高单晶硅性能的电磁场设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122864860.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
CN216514264U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
卢秉钊蒙建华
申请人 ：
抚顺赛瑞特环保科技有限公司
申请人地址 ：
辽宁省抚顺市李石开发区中兴大街（10号路南D6a区）
代理机构 ：
沈阳一诺君科知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘丽娟
优先权 ：
CN202122864860.8
主分类号 ：
C30B30/04
IPC分类号 ：
C30B30/04 C30B29/06 C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B30/00
利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B30/04
用磁场的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
