硅单晶炉生长晶体实时称重装置
专利权的终止
摘要

本实用新型属于一种硅单晶炉生长晶体实时称重装置,采用在绕丝轮上端,或侧边设有称重轮,称重轮通过称重传感器的传感头与位于绕线箱体上端的称重罩连接,钢丝绳一端绕过称重轮上端后向下与重锤上端连接,钢丝绳另一端固定在绕丝轮上;或在绕丝轮上端,或侧边设有称重轮,称重轮与位于绕线箱体上端的称重罩轴接,称重传感器的传感头位于绕线箱体与称重罩之间,钢丝绳一端绕过称重轮上端后向下与重锤上端连接,钢丝绳另一端固定在绕丝轮上。本实用新型能对生长的硅晶体的重量进行实时监控,使对硅晶测重时仍保持炉膛的高温和抽真空状态,可大幅度提高硅晶体合格率和质量,达到理想的使用效果。

基本信息
专利标题 :
硅单晶炉生长晶体实时称重装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820109365.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-07-22
授权号 :
CN201217711Y
授权日 :
2009-04-08
发明人 :
张志新冯玉生袁静
申请人 :
北京京运通硅材料设备有限公司
申请人地址 :
102600北京市经济技术开发区科创三街15号
代理机构 :
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 :
闫立德
优先权 :
CN200820109365.8
主分类号 :
C30B15/28
IPC分类号 :
C30B15/28  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/28
利用晶体或熔体重量变化的,例如浮称法
法律状态
2018-08-14 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 15/28
申请日 : 20080722
授权公告日 : 20090408
2014-12-10 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101708229100
IPC(主分类) : C30B 15/28
专利号 : ZL2008201093658
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京京运通硅材料设备有限公司
变更后权利人 : 北京京运通科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 102600 北京市经济技术开发区科创三街15号
变更后权利人 : 100176 北京市经济技术开发区经海四路158号
登记生效日 : 20141117
2012-09-05 :
文件的公告送达
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101451232348
IPC(主分类) : C30B 15/28
专利号 : ZL2008201093658
专利申请号 : 2008201093658
收件人 : 白茹
文件名称 : 视为未提出通知书
2009-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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