一种晶体生长炉称重装置
授权
摘要

本实用新型涉及晶体生长炉技术领域,且公开了一种晶体生长炉称重装置,包括下外壳,所述下外壳的内腔底壁固定连接有支撑立柱,所述支撑立柱的顶部固定安装有电路板,所述电路板的顶部固定安装有处理器,所述电路板的顶部固定安装有位于处理器右侧的储存器,所述下外壳的内腔底壁固定安装有位于支撑立柱左侧的电动推杆。该晶体生长炉称重装置,通过重力传感器将晶体的重量数据传输至处理器内,处理器把数据保存至储存器的内部,同时将测量到的数值显示在下外壳外侧的显示屏上,启动电动推杆抬高放置盒的左侧,晶体会导入晶体回收箱内,该装置可以配合晶体生长炉工作,无需人为对晶体进行运输。

基本信息
专利标题 :
一种晶体生长炉称重装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021076586.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-10
授权号 :
CN213172676U
授权日 :
2021-05-11
发明人 :
马争荣王建玲
申请人 :
高密普特电子设备有限公司
申请人地址 :
山东省潍坊市高密市高新技术产业开发区第二孵化器
代理机构 :
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 :
殷盛江
优先权 :
CN202021076586.7
主分类号 :
C30B15/28
IPC分类号 :
C30B15/28  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/28
利用晶体或熔体重量变化的,例如浮称法
法律状态
2021-05-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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