晶体的生长装置
授权
摘要
本实用新型提出了晶体的生长装置。该生长装置包括：外壳，限定出腔体，且具有相对设置的第一开口和第二开口；保温层，设置在外壳的内壁；坩埚，被保温层环绕且用于盛熔汤；加热器，设置在坩埚与保温层之间；冷却套，设置在第一开口的下方；热屏，设置在冷却套的下方且由多个平行排列的钼片组成；第一微加热器，设置在热屏的下方且沿水平方向延伸。本实用新型不仅可以有效地阻挡晶体表面的热能散失，提高晶体轴向温度梯度，还能降低晶体径向温度梯度，同时也提高12寸及以上大尺寸晶体的成晶率，也使得在1300‑1400℃范围内维持较佳的时间，充分地把缺陷排出晶体之外，进而生长出近似完美的晶体。
基本信息
专利标题 ：
晶体的生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020719964.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN212955438U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
卢哲玮黄末
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
尚伟净
优先权 ：
CN202020719964.2
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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