一种晶体生长装置
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摘要

本实用新型公开了一种晶体生长装置,包括:外筒体、内筒体和坩埚,外筒体的内侧壁顶部设有台阶,内筒体设于外筒体内,内筒体上方设有斗笠状内罩,斗笠状内罩底部边缘设于外筒体的内侧壁顶部设置的台阶上,坩埚设于内筒体内,斗笠状内罩顶部设有内罩开口,内罩开口内设有籽晶杆,内罩开口顶端设有内罩盖板,籽晶杆顶端与内罩盖板下表面固定连接,籽晶杆底端延伸至坩埚内,坩埚底部外侧壁设有加热电阻丝,坩埚底部与内筒体内部之间形成的空腔内设有S形冷却管,坩埚底部与内筒体内部之间形成的空腔内还填充有保温砂;本方案可以使得晶体生长的温度场四周均衡和稳定,能提高晶体成品率和降低晶体生长成本。

基本信息
专利标题 :
一种晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021246278.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-30
授权号 :
CN213327926U
授权日 :
2021-06-01
发明人 :
胡治军
申请人 :
安徽中晶光技术股份有限公司
申请人地址 :
安徽省蚌埠市禹会区长征路220号
代理机构 :
南京聚匠知识产权代理有限公司
代理人 :
卢强
优先权 :
CN202021246278.4
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B15/10  C30B15/14  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2021-06-01 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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