一种晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体生长装置，包括：外筒体、内筒体和坩埚，外筒体的内侧壁顶部设有台阶，内筒体设于外筒体内，内筒体上方设有斗笠状内罩，斗笠状内罩底部边缘设于外筒体的内侧壁顶部设置的台阶上，坩埚设于内筒体内，斗笠状内罩顶部设有内罩开口，内罩开口内设有籽晶杆，内罩开口顶端设有内罩盖板，籽晶杆顶端与内罩盖板下表面固定连接，籽晶杆底端延伸至坩埚内，坩埚底部外侧壁设有加热电阻丝，坩埚底部与内筒体内部之间形成的空腔内设有S形冷却管，坩埚底部与内筒体内部之间形成的空腔内还填充有保温砂；本方案可以使得晶体生长的温度场四周均衡和稳定，能提高晶体成品率和降低晶体生长成本。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021246278.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-30
授权号 ：
CN213327926U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
胡治军
申请人 ：
安徽中晶光技术股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市禹会区长征路220号
代理机构 ：
南京聚匠知识产权代理有限公司
代理人 ：
卢强
优先权 ：
CN202021246278.4
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B15/10 C30B15/14
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
