本实用新型公开了一种晶体生长装置，包括炉体，炉体内设置有容腔，容腔内固设有坩埚，炉体、坩埚之间设置有导热层，容腔的底端和侧壁上均固设有加热器，炉体的底端设置有炉盖，炉盖的内壁上固设有气压传感器、温度传感器，气压传感器、温度传感器均连接处理器，处理器连接控制器，控制器固设在控制面板上，控制面板固设在炉盖的顶端外壁上；炉体的容腔内设置有伸缩杆，伸缩杆的顶端连接控制器，伸缩杆的底端设置有晶粒块。本实用新型提供一种晶体生长装置，这种晶体生长装置结构简单，操作方便，能够对晶体的生长环境实时监测，并进行调节，保证晶体在适宜的环境下生长，改善了晶体的品质和质量，提高了生产效率，降低了生产成本。