一种晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型提供一种晶体生长装置，包括：炉体，所述炉体内设置有坩埚，所述坩埚内包括熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述坩埚的上方，配置为在晶体生长的过程中提拉晶体；熔融盖，所述熔融盖固定在所述提拉装置的下端，配置为减少所述熔体的热损失。根据本实用新型提供的晶体生长装置，通过在坩埚的上方设置熔融盖，减少了熔体的热损失，缩短了原料在坩埚中加热熔化的时间，降低了加热器的能耗，进而提高了生产效率，降低了生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920645452.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN211036174U
授权日 ：
2020-07-17
发明人 ：
沈伟民
申请人 ：
上海新昇半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区临港新城云水路1000号
代理机构 ：
北京市磐华律师事务所
代理人 ：
董巍
优先权 ：
CN201920645452.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/10 C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-07-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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