硅单晶的生长方法
授权
摘要

本发明涉及一种以高生长速度制造高质量单晶的技术。本发明提供用切克劳斯基单晶生长法使硅单晶生长的方法,即:把装有熔体的坩埚的旋转速度作为Vc,所述硅单晶的旋转速度作为Vs时,用满足3≤Ln[Vs/Vc]≤5的条件使硅单晶生长。

基本信息
专利标题 :
硅单晶的生长方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101831696A
申请号 :
CN201010166765.4
公开(公告)日 :
2010-09-15
申请日 :
2005-11-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赵铉鼎
申请人 :
希特隆股份有限公司
申请人地址 :
韩国庆尚北道
代理机构 :
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 :
禇海英
优先权 :
CN201010166765.4
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B15/20  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2012-11-28 :
授权
2010-11-03 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101012514889
IPC(主分类) : C30B 29/06
专利申请号 : 2010101667654
申请日 : 20051123
2010-09-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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