绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长
视为撤回的专利申请
摘要
本发明是一种半导体器件及集成电路制造中的化学气相硅淀积工艺，其目的在于实现“单晶硅/绝缘材料/单晶硅”的半导体材料结构。其特点是该结构外延一次完成，生长速率快，单晶厚度均匀，质量好，设备简单，操作方便，对绝缘衬底无气相腐蚀，便于生产应用。
基本信息
专利标题 ：
绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100027A
申请号 ：
CN86100027.7
公开（公告）日 ：
1987-07-15
申请日 ：
1986-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨树人汤广平全宝富
申请人 ：
吉林大学
申请人地址 ：
吉林省长春市解放大路83号
代理机构 ：
吉林大学专利事务所
代理人 ：
杨德胜
优先权 ：
CN86100027.7
主分类号 ：
C30B25/02
IPC分类号 ：
C30B25/02 C30B25/22
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
法律状态
1992-04-22 ：
视为撤回的专利申请
1990-06-06 ：
实质审查请求
1990-04-25 ：
其他有关事项恢复公告通知
原决定公告日 : 19900124
1990-01-24 ：
被视为撤回的申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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