区熔硅单晶炉电气控制装置
其他有关事项避免重复授权放弃专利权
摘要

本实用新型涉及一种用于生产区熔硅单晶的大型设备,特别涉及一种用于生产气相掺杂区熔硅单晶的区熔硅单晶炉电气控制装置。它包括中心控制部分、电机控制部分、控制面板、及掺杂气体控制部分;所述的中心控制部分包括含有通讯模块与输入输出模块、模拟量输入输出模块及与之相连的可编程逻辑控制器;所述的电机控制部分包括数字运动控制器、互连模块、手动调速编码器、伺服驱动器及伺服电机;所述的掺杂气体控制部分包气体保护部分使用的氩气、氮气的气体质量流量计及掺杂箱部分;所述的控制面板为触摸屏式控制面板。该系统具有操作方便、控制精度及可靠性高等优点,从而满足多元化产品的工艺要求。

基本信息
专利标题 :
区熔硅单晶炉电气控制装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620025965.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-04-30
授权号 :
CN2858676Y
授权日 :
2007-01-17
发明人 :
沈浩平高树良刘嘉刘为钢
申请人 :
天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请人地址 :
300384天津市华苑产业园区(环外)海泰东路12号
代理机构 :
天津中环专利商标代理有限公司
代理人 :
王凤英
优先权 :
CN200620025965.7
主分类号 :
C30B13/28
IPC分类号 :
C30B13/28  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
C30B13/28
控制或调节
法律状态
2007-12-05 :
其他有关事项避免重复授权放弃专利权
放弃生效日 : 20060430
2007-01-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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