用于制备碳化硅粉末和单晶碳化硅的方法
公开
摘要
本发明涉及用于制备碳化硅粉末和单晶碳化硅的方法，并且更具体地，涉及包括以下步骤的用于制备碳化硅粉末的方法：将前体气体提供到在反应器中的纤维碳体上以将碳化硅(SiC)沉积在纤维碳体上；将沉积在纤维碳体上的碳化硅回收以得到第一碳化硅粉末；以及使第一碳化硅粉末氧化，其中前体气体的分子包含硅原子和碳原子。
基本信息
专利标题 ：
用于制备碳化硅粉末和单晶碳化硅的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114585777A
申请号 ：
CN202080074364.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
梁仁锡权容禛金一坤
申请人 ：
哈纳材料公司
申请人地址 ：
韩国忠清南道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
程纾孟
优先权 ：
CN202080074364.8
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00 C01B32/963
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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