碳化硅单晶片、晶体及制备方法、半导体器件
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种碳化硅单晶片及其制备方法、碳化硅晶体及其制备方法、半导体器件，所述碳化硅单晶片表面为其法线方向与c向夹角为0度‑8度之间的表面，且该碳化硅单晶片上的聚集位错小于300个/cm2，所述聚集位错是指经过熔融KOH腐蚀后，得到的腐蚀坑中，任意两个腐蚀坑的几何中心之间的距离小于80微米的位错聚集情况。即使在位错密度相对较高的情况下，聚集位错密度也较小，从而提高了碳化硅基器件的良率。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅单晶片、晶体及制备方法、半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540954A
申请号 ：
CN202011341347.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘春俊娄艳芳彭同华王波赵宁郭钰杨建张平邹宇杨帆
申请人 ：
北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
李婷婷
优先权 ：
CN202011341347.4
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B1/12 C30B33/02 H01L29/04 H01L29/16 H01L29/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/36
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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