一种高质量碳化硅晶体的制备方法
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摘要
本发明属于半导体材料技术领域，提供了一种高质量碳化硅晶体的制备方法，采用高温化学气相沉积法制备碳化硅晶体的过程中通入氯气。所述氯气持续通入或间断通入。所述氯气从反应腔体的上方、下方或侧面通入。本发明通过在碳化硅生长的反应腔体中通入Cl2，对新生成的碳化硅表面的台阶聚集处产生刻蚀反应，从而减少晶体边缘位错缺陷的形成，提高碳化硅晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
一种高质量碳化硅晶体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111334860A
申请号 ：
CN202010171114.8
公开（公告）日 ：
2020-06-26
申请日 ：
2020-03-12
授权号 ：
CN111334860B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
刘欣宇袁振洲
申请人 ：
江苏超芯星半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道9号A5栋
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
王佳妹
优先权 ：
CN202010171114.8
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B25/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-07-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/36
申请日 : 20200312
申请日 : 20200312
2020-06-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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