一种高质量碳化硅晶体的生长方法及装置
授权
摘要
本发明提供了一种高质量碳化硅晶体的生长方法及装置，该方法包括：(1)组装阶段；(2)升温阶段；(3)形核阶段：保持坩埚顶端中心的温度为T1，控制保温盖沿着保温筒侧壁向下移动，控制坩埚顶端中心的温度与坩埚顶端边缘的温度差逐渐增加至△T2，使得碳化硅原料气相传输至籽晶处形核；(4)生长阶段：碳化硅原料气相传输至籽晶处进行长晶。在形核阶段，籽晶表面形成以籽晶中心为圆心的环形温场，通过控制保温盖向下移动，环形温场更加均匀稳定且径向温梯逐渐缓慢增加，实现径向温梯的定向定量调节，逐渐增大籽晶处径向温梯，共同作用促进形核阶段的多核竞争兼并，形成均匀致密的生长台阶，降低晶体缺陷的产生机率，提高了晶体生长质量。
基本信息
专利标题 ：
一种高质量碳化硅晶体的生长方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113005511A
申请号 ：
CN202110200873.7
公开（公告）日 ：
2021-06-22
申请日 ：
2021-02-23
授权号 ：
CN113005511B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
李加林刘星李斌孙元行刘鹏飞李博侯建国刘家朋
申请人 ：
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 ：
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张伟朴
优先权 ：
CN202110200873.7
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-07-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20210223
申请日 : 20210223
2021-06-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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