一种碳化硅晶体的生长方法及生长设备
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种碳化硅晶体的生长方法及生长设备，该方法至少包括以下步骤：将碳化硅升温，监测碳化硅的温度；当碳化硅升温至预设温度时，监测蒸发的碳化硅中硅的含量；当硅含量达到第一预设含量值时，开始降压成核；检测碳化硅生长时，生长界面结晶产生的特定波长的辐射，并记为第一特征辐射；以及当第一特征辐射与碳化硅所需晶型的特征辐射不一致时，调整第一特征辐射与所需晶型的特征辐射一致。本发明能有效调控晶体生长过程中晶型的选择。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶体的生长方法及生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411258A
申请号 ：
CN202210314813.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
薛卫明马远武雷潘尧波
申请人 ：
中电化合物半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路68号15号、16号楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王积毅
优先权 ：
CN202210314813.2
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/36
申请日 : 20220329
申请日 : 20220329
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
