一种生长碳化硅多晶体的生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种生长碳化硅多晶体的生长装置，包括石墨坩埚桶、石墨坩埚盖、石墨导流筒和圆形石墨纸，石墨坩埚桶的内部设置有上部台阶和下部台阶，石墨坩埚桶内设置有石墨导流筒，石墨导流筒位于上部台阶和下部台阶之间，石墨导流筒上设置有圆形石墨纸，圆形石墨纸通过石墨坩埚盖压在石墨坩埚桶上。本实用新型生长碳化硅多晶体的生长装置，通过物理气相传输法制备高纯度的碳化硅多晶体，然后将多晶体粉碎制备碳化硅粉料，并不断重复上述过程，即“生长多晶，将多晶粉碎，将粉碎后的多晶作为原料继续生长多晶，将多晶粉碎”，来获得更高纯度的碳化硅粉料，解决了现有的自蔓延方法所做的碳化硅粉料纯度最高只能达到6N级别的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种生长碳化硅多晶体的生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922027627.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-21
授权号 ：
CN210945856U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
付芬张洁汪良邓树军王旻峰
申请人 ：
福建北电新材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
汤东凤
优先权 ：
CN201922027627.7
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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