碳化硅晶体的生长装置
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供了一种碳化硅晶体的生长装置，该生长装置包括坩埚组件和籽晶固定器，所述坩埚组件包括坩埚体、石墨隔板和坩埚盖，所述石墨隔板设置在坩埚体上部，并且石墨隔板上具有通气孔结构，所述坩埚盖盖设在坩埚体上以构成坩埚内部容纳腔；所述籽晶固定器设置在坩埚盖内侧，且位于石墨隔板上方。通过石墨隔板对向上升华的气相物进行整流，降低生产成本的同时提升晶体的合格率及品质。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅晶体的生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020619456.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-22
授权号 ：
CN212834141U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
徐良杨新鹏蓝文安刘建哲余雅俊夏建白李京波郭炜叶继春占俊杰
申请人 ：
浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市南二环西路2688号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
佟林松
优先权 ：
CN202020619456.7
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-29 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 23/00
登记生效日 : 20220419
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
变更后权利人 : 浙江富芯微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 321000 浙江省金华市南二环西路2688号
变更后权利人 : 321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号3#厂房（自主申报）
登记生效日 : 20220419
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
变更后权利人 : 浙江富芯微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 321000 浙江省金华市南二环西路2688号
变更后权利人 : 321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号3#厂房（自主申报）
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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