用于生长大直径碳化硅晶体的装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型涉及碳化硅晶体生长技术领域，公开了一种用于生长大直径碳化硅晶体的装置，包括坩埚(1)，坩埚上设有坩埚盖(2)，坩埚与坩埚盖外部包裹保温层(3)；保温层上部设有第一测温孔(41)，所述保温层下部固定在托盘(5)上；保温层与托盘位于石英管(6)内；石英管(6)的两端分别设有第一法兰(7)和第二法兰(8)以形成封闭结构，第一法兰上设有第二测温孔(42)；石英管外部设有电磁感应线圈(9)；石英管与电磁感应线圈位于中空的冷却筒(10)内；冷却筒上部设有第三测温孔(43)，第三测温孔的上方设有测温装置(11)。采用本实用新型能够优化晶体生长过程中的温场分布，减少热应力，提高晶体成品率。

基本信息

专利标题：

用于生长大直径碳化硅晶体的装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921332016.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-15

授权号：

CN211420368U

授权日：

2020-09-04

发明人：

刘兵张岩赵子强陈菲菲赵然

申请人：

国宏华业投资有限公司

申请人地址：

北京市海淀区长春桥路11号3号楼12层1205

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司

代理人：

周坤

优先权：

CN201921332016.7

主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B29/36 C30B23/00

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/36

碳化物

法律状态

2021-01-19 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : C30B 29/36
登记生效日 : 20210106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国宏华业投资有限公司
变更后权利人 : 国宏中宇科技发展有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼12层1205
变更后权利人 : 100089 北京市海淀区长春桥路11号3号楼12层1204

2020-09-04 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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