碳化硅晶体的生长装置

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摘要

本实用新型涉及一种碳化硅晶体的生长装置，包括坩埚、安装有籽晶的籽晶座、石墨过滤板、搅拌装置、顶部加热器和底部加热器，籽晶座、石墨过滤板和搅拌装置均位于坩埚内，其中籽晶座固定于坩埚的顶部，且籽晶向下设置，石墨过滤板位于坩埚的中间位置，并将坩埚分为上半部和下半部，搅拌装置位于下半部，顶部加热器和底部加热器均设置于坩埚外；制备方法包括利用该生长装置进行碳化硅晶体生长的步骤。本实用新型的生长装置制备的碳化硅杂质少、纯度高、不存在包裹物缺陷，且原料利用率高，节约成本。

基本信息

专利标题：

碳化硅晶体的生长装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020699264.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-29

授权号：

CN212834142U

授权日：

2021-03-30

发明人：

徐良杨新鹏蓝文安刘建哲余雅俊夏建白李京波郭炜叶继春

申请人：

金华博蓝特电子材料有限公司

申请人地址：

浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号1#厂房1楼南侧

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司

代理人：

佟林松

优先权：

CN202020699264.1

主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B23/00 C30B29/36