制备高质量多孔GaN模板晶体的方法
公开
摘要
本发明公开了一种制备高质量多孔GaN模板晶体的方法，其特征在于：采用卤化物气相外延方法在具有切割角的蓝宝石衬底上生长β‑Ga2O3薄膜，使得外延的β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延的形貌，将β‑Ga2O3薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛中进行氮化部分氮化或全部氮化，得到高质量多孔GaN模板晶体。本发明采用具有一定切割角的蓝宝石衬底，合适的切割角会使β‑Ga2O3薄膜呈现单一畴外延模式，从而得到高质量β‑Ga2O3薄膜，将高质量β‑Ga2O3薄膜氮化即可得到高质量GaN多孔模板。本发明制备的高质量GaN多孔模板可以用于外延GaN，GaN多孔模板质量越好，在其上外延的GaN衬底质量越高。
基本信息
专利标题 ：
制备高质量多孔GaN模板晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293251A
申请号 ：
CN202111559075.X
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
修向前施佳诚李悦文许万里陶涛张荣
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
代理机构 ：
江苏斐多律师事务所
代理人 ：
张佳妮
优先权 ：
CN202111559075.X
主分类号 ：
C30B25/18
IPC分类号 ：
C30B25/18 C30B33/00 C30B29/40 C30B29/60
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/18
以衬底为特征的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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