本发明公开了一种低维碲晶体的制备方法，制备方法包括：采用机械剥离方法得到表面结合有六方氮化硼纳米片的硅片作为衬底，将衬底置于石英管中并通入预设质量的二氧化碲作为生长源，通过加热炉同时对生长源及衬底进行加热，在由氩气与氢气组合的混合气氛中控制生长源在预设温度下进行化学气相沉积反应，以生长得到低维碲晶体。本发明基于化学气相沉积法在具有原子级平整度的六方氮化硼衬底上生长低维碲晶体，通过控制生长源和衬底的温度、反应时间、氩气/氢气混合气体的比例及流速可制备出高质量的碲晶体，晶体尺寸介于数微米到数十微米之间。上述制备方法过程简单，无需价格昂贵的生长源、衬底及设备，极大提高了制备碲晶体的质量。