晶体管及其制备方法、显示面板
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种晶体管及制备方法、显示面板，晶体管中的半导体薄膜层中为氧化铟和氧化钼的混合材料制成，相较于现有技术增加了氧化钼材料，额外增加的氧化钼材料，增加了整个晶体管中的空穴，降低了空穴的移动势垒，进而提高了半导体薄膜层的电气特性。且利用本申请实施例提供的晶体管制备方法制备得到的晶体管中的半导体薄膜层薄膜致密性较高，沟道缺陷少，进一步提高了半导体薄膜层的电气特性。
基本信息
专利标题 ：
晶体管及其制备方法、显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447118A
申请号 ：
CN202210051065.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙昊洲万广苗
申请人 ：
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
苏蕾
优先权 ：
CN202210051065.3
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/10 H01L27/12 H01L21/34
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20220117
申请日 : 20220117
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
