导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，避免与水汽发生反应出现腐蚀问题，从而提高抗氧化性和产品性能。导电结构的制备方法包括：在前膜层上形成导电薄膜、以及覆盖导电薄膜的第一导电隔离薄膜；采用第一刻蚀液对第一待刻蚀部和第三待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除第一待刻蚀部和第三待刻蚀部；采用第二刻蚀液对第二待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除第二待刻蚀部；采用等离子体对第一导电隔离部进行轰击，使得第一导电隔离部中未覆盖导电部的部分至少覆盖导电部的部分侧面。
基本信息
专利标题 ：
导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497231A
申请号 ：
CN202210121398.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谌伟黄中浩吴旭杨宇桐刘丹田茂坤宁智勇
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
支珊
优先权 ：
CN202210121398.9
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/417 H01L27/12 H01L21/44 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20220209
申请日 : 20220209
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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