晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种晶体管及其制备方法。制备晶体管的方法包括：去除半导体层的一部分形成鳍结构；使所述鳍结构的表层形成第一闸绝缘层；对所述第一闸绝缘层进行处理，使其转化为第二闸绝缘层，其中，所述第二闸绝缘层的介电常数高于所述第一闸绝缘层的介电常数；以及在所述第二闸绝缘层的靠近所述鳍结构的一侧形成第三闸绝缘层。
基本信息
专利标题 ：
晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496799A
申请号 ：
CN202210123979.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
颜丙杰谢景涛
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210123979.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/51 H01L29/78 H01L27/11551 H01L27/11578
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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