一种环绕栅极晶体管及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种环绕栅极晶体管及其制备方法。一种环绕栅极晶体管的制备方法采用如下方法形成栅介质：先形成第一高k介质层，然后去除部分区域的第一高k介质层；再形成第二高k介质层；其中，所述第一高k介质层和所述第二高k介质层具有不同的电负性或者不同的原子半径。本发明利用不同区域上两个高k介质层的不同结构来形成不同器件阈值，为器件的多阈值集成提供了更好的选择性。
基本信息
专利标题 ：
一种环绕栅极晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582805A
申请号 ：
CN202210169094.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
殷华湘姚佳欣徐忍忍魏延钊
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
史晶晶
优先权 ：
CN202210169094.X
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L21/336 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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