环绕式栅极输入/输出工程
实质审查的生效
摘要
本案说明一种制造环绕式栅极电子装置的方法。此方法包括以下步骤：通过增强原位蒸汽产生处理并结合低K层的原子层沉积来形成热氧化物层。薄热氧化物层钝化环绕式栅极(GAA)的硅层与介电层之间的界面。在低K层的沉积之后的钝化处理降低本体缺陷(bulk trap)及增强GAA晶体管的击穿性能。
基本信息
专利标题 ：
环绕式栅极输入/输出工程
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514597A
申请号 ：
CN202080068741.7
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-10-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史蒂文·C·H·洪本杰明·科伦坡罗源辉李炳灿约翰内斯·F·斯温伯格特里萨·克莱默·瓜里尼马尔科姆·J·贝文
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202080068741.7
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/28 H01L21/335 H01L21/336 H01L21/67 H01L29/423 H01L29/51 H01L29/775 C23C8/02 C23C8/16 C23C8/80 C23C16/40 C23C16/455 C23C16/56 C30B25/02 C30B29/06 C30B29/52 C30B33/00 C30B33/08 B82Y10/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20201001
申请日 : 20201001
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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