包括全环绕栅极晶体管的集成电路
公开
摘要
一种集成电路，包括：包括多个位单元的存储单元块；以及输入/输出(I/O)块，包括连接到位单元的多个全环绕栅极(GAA)晶体管，其中I/O块包括在第一方向上彼此分离设置的多个有源区，所述多个有源区的每个在垂直于第一方向的第二方向上延伸，并且其中形成有GAA晶体管；多个电源轨，在第一方向上彼此分离设置，并配置为向GAA晶体管供电；以及多条信号线，设置在电源轨之间，并配置为向GAA晶体管提供信号，位单元当中的第一数量的位单元连接到形成在有源区当中的第二数量的有源区中的GAA晶体管，并且第二数量大于第一数量的两倍。
基本信息
专利标题 ：
包括全环绕栅极晶体管的集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446966A
申请号 ：
CN202111305357.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金本烨金兑衡韩相信白尚叶
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
马晓蒙
优先权 ：
CN202111305357.7
主分类号 ：
H01L27/11
IPC分类号 ：
H01L27/11 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/11
静态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
