本发明涉及一种双功函数栅极的上栅极结构、制造方法和晶体管。双功函数栅极的上栅极结构包括：与下栅极接触的金属掺杂层和在金属掺杂层内的钨层；所述金属掺杂层为掺杂镧的氮化钛。通过在氮化钛中掺杂镧形成的金属掺杂层实现调节功函数范围，将P型功函数调整至N型功函数范围，方便刻蚀且不需要额外工艺。因为只需要在氮化钛注入镧即可完成，因此不会在工艺上有大变化，并且不更改工艺与物质，只需要透过沉积的镧的厚度就能调整功函数，有利于晶体管的特性设计。由于金属掺杂层的电阻低，从而能够满足电阻系数和功函数。在氮化钛中掺杂镧,使现在使用的氮化钛和钨的栅极能够继续使用,也不需要增加步骤。