具有垂直栅极晶体管的半导体结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包含：一基底、一单元胞电容器、一通道结构、一衬垫材料、一字元线以及一位元线。该单元胞电容器设置在该基底上。该通道结构设置在该单元胞电容器上，其中该通道结构包括一水平组件以及至少两个垂直组件，该至少两个垂直组件从该水平组件延伸，并由在该水平组件上的一沟道所隔开。该衬垫材料围绕每一垂直组件。该字元线包围该至少两个垂直组件，并部分充填该沟道。该位元线设置在该通道结构上。
基本信息
专利标题 ：
具有垂直栅极晶体管的半导体结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497044A
申请号 ：
CN202110980392.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-08-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡镇宇
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202110980392.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20210825
申请日 : 20210825
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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