具有半导体性栅极的场效应晶体管

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摘要

提供了一种场效应晶体管，包括：衬底；源极层，其位于所述衬底上；漏极层，其位于所述衬底上；沟道层，其电连接所述源极层和所述漏极层；栅极介电层，其位于所述沟道层的远离所述衬底的一侧；半导体性栅极层，其位于所述栅极介电层的远离所述沟道层的一侧；栅电极，其与所述半导体性栅极层电连接，所述栅电极在所述衬底上的正投影在所述沟道层在所述衬底上的正投影之外。所述半导体性栅极层具有与所述沟道层在场效应晶体管导通状态下的导电沟道相同的载流子，并且所述半导体性栅极层的厚度和掺杂度设置为使得在向所述栅电极施加的电压大于预定电压时所述半导体性栅极被耗尽，同时所述沟道层的沟道完全导通。

基本信息

专利标题：

具有半导体性栅极的场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110828564A

申请号：

CN201910730782.7

公开（公告）日：

2020-02-21

申请日：

2019-08-08

授权号：

CN110828564B

授权日：

2022-04-08

发明人：

陈敬钱庆凯

申请人：

香港科技大学

申请人地址：

中国香港九龙清水湾

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司

代理人：

张娜

优先权：

CN201910730782.7

主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/778 H01L29/43 H01L29/78