一种屏蔽栅极场效应晶体管
授权
摘要
本实用新型涉及晶体管技术领域，且公开了一种屏蔽栅极场效应晶体管，包括环氧封装体，所述环氧封装体的右侧固定连接有安装板，所述环氧封装体的左侧设置有外接引脚，所述环氧封装体的左侧开设有两个矩形活动槽，所述环氧封装体的左侧设置有定位固定机构，所述定位固定机构包括定位条，所述定位条的底部固定连接有两个矩形条。该屏蔽栅极场效应晶体管，通过矩形活动槽、定位条、矩形条、定位槽、绝缘橡胶垫和拉伸弹簧之间的相互配合，从而可以将外接引脚进行定位固定，使得外接引脚的右端与环氧封装体的左侧搭接，且防止外接引脚的位置出现偏移，从而便于对外接引脚进行焊接，操作简单便捷，节省焊接时间。
基本信息
专利标题 ：
一种屏蔽栅极场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122665989.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
CN216213386U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张泽华
申请人 ：
深圳市微碧半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122665989.6
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/495 H01L23/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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