一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管
授权
摘要
本申请实施例提供一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管，应用于自对准双图案工艺，其中，所述方法包括：在栅极介质层上，依次形成至少两个隔离侧墙、包裹每一所述隔离侧墙的牺牲层、和位于所述牺牲层表面的低温氧化物层，其中，所述隔离侧墙用于定义栅极的特征尺寸；对所述低温氧化物层和所述牺牲层，依次进行刻蚀处理，以暴露出所述隔离侧墙中的目标隔离侧墙；对所述目标隔离侧墙进行减薄处理，得到减薄隔离侧墙，通过所述减薄隔离侧墙刻蚀所述栅极介质层，形成所述栅极。
基本信息
专利标题 ：
一种栅极特征尺寸的控制方法及场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113097294A
申请号 ：
CN202110231131.0
公开（公告）日 ：
2021-07-09
申请日 ：
2021-03-02
授权号 ：
CN113097294B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
颜丙杰
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘鹤
优先权 ：
CN202110231131.0
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20210302
申请日 : 20210302
2021-07-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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