蚀刻掩模特征临界尺寸的减小
专利权的终止
摘要
本发明提供了一种用于在蚀刻层上具有蚀刻掩模的蚀刻叠层中的蚀刻层内形成特征的方法，其中该蚀刻掩模具有带有侧壁的蚀刻掩模特征，其中该蚀刻掩模特征具有第一临界尺寸。执行循环临界尺寸减小以形成具有第二临界尺寸的沉积层特征，该第二临界尺寸小于该第一临界尺寸。各个周期包括沉积阶段，用于在蚀刻掩模特征的包括垂直侧壁的暴露表面上沉积一沉积层，以及蚀刻阶段，用于回蚀刻该沉积层，在该垂直侧壁上留下选择性沉积。在该蚀刻层内蚀刻形成特征，其中该蚀刻层特征具有第三临界尺寸，该第三临界尺寸小于该第一临界尺寸。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻掩模特征临界尺寸的减小
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101116177A
申请号 ：
CN200580047984.8
公开（公告）日 ：
2008-01-30
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
Z·黄S·M·R·萨亚迪J·马克斯
申请人 ：
兰姆研究有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘杰
优先权 ：
CN200580047984.8
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/308 H01L21/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2013-01-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101389922873
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2005800479848
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20090923
终止日期 : 20111206
号牌文件序号 : 101389922873
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2005800479848
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20090923
终止日期 : 20111206
2009-09-23 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2008-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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