蚀刻液及经蚀刻液加工的光掩模
授权
摘要
本发明提供在光刻法用光掩模的制造中考精致地控制光掩模具有的半透光部的透光率的蚀刻液、使用该蚀刻液的制造灰度掩模的方法及通过该方法制造的灰度掩模。包含硝酸二铵铈(IV)或硫酸四铈(IV)铵的蚀刻液。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻液及经蚀刻液加工的光掩模
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107085351A
申请号 ：
CN201710080816.3
公开（公告）日 ：
2017-08-22
申请日 ：
2017-02-15
授权号 ：
CN107085351B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
大和田拓央石川直树
申请人 ：
关东化学株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
上海一平知识产权代理有限公司
代理人 ：
马莉华
优先权 ：
CN201710080816.3
主分类号 ：
G03F1/80
IPC分类号 ：
G03F1/80
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/68
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
G03F1/80
蚀刻
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-03-08 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/80
申请日 : 20170215
申请日 : 20170215
2017-08-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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