使用光致抗蚀剂掩模的蚀刻
发明专利申请公布后的驳回
摘要
提供一种蚀刻衬底上的介电层的方法。在介电层上形成光致抗蚀剂掩模。将衬底放入等离子体处理室中。向等离子体室提供含NF3的蚀刻气体。由NF3气体形成等离子体。通过光致抗蚀剂掩模，使用由NF3气体形成的等离子体蚀刻介电层。
基本信息
专利标题 ：
使用光致抗蚀剂掩模的蚀刻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101151719A
申请号 ：
CN200680010250.7
公开（公告）日 ：
2008-03-26
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·金S·李B·A·沃尔沙姆R·查拉坦S·M·R·萨亚迪
申请人 ：
兰姆研究有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200680010250.7
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2016-04-13 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101730667597
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2006800102507
申请公布日 : 20080326
号牌文件序号 : 101730667597
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2006800102507
申请公布日 : 20080326
2010-08-11 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003964172
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2006800102507
公开日 : 20080326
号牌文件序号 : 101003964172
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2006800102507
公开日 : 20080326
2008-05-21 ：
实质审查的生效
2008-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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