用于蚀刻工艺的稳定的光致抗蚀剂结构
专利权的终止
摘要
本发明提供一种在蚀刻层中形成特征的方法，包括：在蚀刻层上形成第一掩模，其中第一掩模限定出多个具有宽度的空间。横向蚀刻第一掩模，其中蚀刻的第一掩模限定出多个具有宽度的空间，其中蚀刻的第一掩模的空间的宽度大于第一掩模的空间的宽度。在蚀刻的第一掩模上形成侧壁层，其中侧壁层限定出多个具有宽度的空间，该空间的宽度小于蚀刻的第一掩模限定的空间的宽度。通过侧壁层在蚀刻层中蚀刻特征，其中该特征的宽度小于蚀刻的第一掩模限定的空间的宽度。除去掩模和侧壁层。
基本信息
专利标题 ：
用于蚀刻工艺的稳定的光致抗蚀剂结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101171666A
申请号 ：
CN200680014965.X
公开（公告）日 ：
2008-04-30
申请日 ：
2006-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·M·R·萨亚迪E·A·哈森P·西里利亚诺J·S·金Z·黄
申请人 ：
兰姆研究有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200680014965.X
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F7/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2018-03-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20170302
申请日 : 20060302
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20170302
2009-08-19 ：
授权
2008-06-25 ：
实质审查的生效
2008-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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